IRFH5210TRPBF

1.Lower Conduction Losses
2.Enables megliu dissipazione termale
3.Increased Reliability
4.Increased Power Density
5.Multi-Vendor Compatibilità
6.Easier Manufacturing
7.Environmentally Friendlier
8.Increased Reliability

Numero di parte di u fabricatore: IRFH9310TRPBF
Produttore / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Parte di a Descrizione:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status senza piombo / Status RoHS: Senza piombo / Conforme à RoHS
Condizione di Stock: Novu originale, 12000 pezzi Stock Disponibile.
Navi da: Hong Kong
Modalità di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS
Attributu di u produttu Attributu Valore Select Attribute
Numero di parte IRFH9310TRPBF
Produttore / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Quantità di stock 12000 pezzi Stock
Category Products Semiconductor Discreti > Transistors - FET, MOSFET - Single
Descrizzione MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status senza piombo / Statu RoHS: Senza piombo / Conforme à RoHS
Larghezza - Internu -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tensione/Corrente - Output 1 PQFN (5x6)
Tolleranza 5250pF @ 15V
Tail Type P-Channel
Step Angle MOSFET (ossidu di metallu)
Riduzzione di a temperatura Infineon Technologies
Tipu SFP/XFP ± 20V
Capacità remota HEXFET®
Pitch - Cable Mount Superficie
Altri nomi senza piombo / Conforme à RoHS
Altri nomi 1
Oscillator Type 8-PowerVDFN
Numero di DAC 30V
Gravità specifica minima di liquidu -
Orientazione di accoppiamentu 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Codice di u fabricatore IRFH9310TRPBFDKR-ND
Lunghezza - Barrel Digi-Reel®
Colore di a lampada 4.5V, 10V
High Side Tension - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funzione 58nC @ 4.5V
Coil Power Active
Capacità di u canali (CS (off), CD (off)) 3.1W (Ta)
Tipo di lettore di carte 2,4 V @ 100 µA
Funzioni è Beneficii
Features Beneficii Risultanti
Low RDSon (≤ 4.6mΩ) Lower Conduction Losses
Pacchettu PQFN Standard di l'Industria Compatibilità Multi-Vendor
Conforme à RoHS, senza piombo, senza bromuru è senza alogeni, più ecologicu
risultati in
Nota
Forma Quantità
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm Nastro è bobina 4000
Numero di parte ordinabile Tipu di pacchettu Pacchettu standard
VDS -30 V
RDS(on) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipica) 110 nC
RG (tipicale) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Valutazione Massima Assoluta
Unità di paràmetru
Tensione VDS Drain-to-Source
Tensione da porta à fonte VGS
ID @ TA = 25 ° C Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10 V
ID @ TC = 25 ° C Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70 ° C Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25 ° C Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10 V (Package Limited)
Corrente di Drain Pulsed IDM
PD @TA = 25 ° C Dissipazione di putenza
PD @ TA = 70 ° C Dissipazione di putenza
Fattore di riduzione lineare W/°C
TJ Operating Junction è
Gamma di temperatura di almacenamiento TSTG
valutazione ripetitiva;larghezza di impulsu limitata da max.temperatura di junction.
Starting TJ = 25 ° C, L = 1.1 mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
larghezza di l'impulsu ≤ 400µs;duty cycle ≤ 2%.
Quandu hè muntatu nantu à una tavola di rame quadrata di 1 inch.
Rθ hè misurata à TJ di circa 90 ° C.
Solu per l'aiutu di designu, micca sottumessu à teste di produzzione.